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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 1200 V (1.2 kV) 25 A 20 mW Montaje de chasis Módulo
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DF23MR12W1M1B11BOMA1-ND
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Número de pieza del fabricante

DF23MR12W1M1B11BOMA1

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Descripción MOSFET MODULE 1200V 25A
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 1200 V (1.2 kV) 25 A 20 mW Montaje de chasis Módulo

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Documentos y medios
Hojas de datos DF23MR12W1M1_B11
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Datasheet Rev 28/Aug/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolSiC™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 25 A, 15 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 10 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 620 nC a 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF a 800 V
Potencia máxima 20 mW
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
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