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BSZ900N20NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 15.2 A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TSDSON-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 $1.55
10 1.39100 $13.91
25 1.31200 $32.80
100 1.02340 $102.34
500 0.86592 $432.96
1,000 0.73472 $734.72
2,500 0.72422 $1,810.56

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 15,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.67174
  • Digi-Reel®  : BSZ900N20NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,405 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ900N20NS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ900N20NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ900N20NS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 15.2 A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TSDSON-8

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 90mOhm a 7.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSZ900N20NS3GATMA1CT
BSZ900N20NS3GCT
BSZ900N20NS3GCT-ND