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BSZ42DN25NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 250V 5 A (Tc) 33.8W (Tc) PG-TSDSON-8
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.11000 $1.11
10 0.98900 $9.89
25 0.93840 $23.46
100 0.70370 $70.37
250 0.69700 $174.25
500 0.59648 $298.24
1,000 0.48590 $485.90
2,500 0.47919 $1,197.98

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BSZ42DN25NS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ42DN25NS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 5 A (Tc) 33.8W (Tc) PG-TSDSON-8

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 425mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 33.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSZ42DN25NS3 GCT
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
BSZ42DN25NS3GATMA1CT