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BSZ340N08NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 6 A (Ta), 23 A (Tc) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc) PG-TSDSON-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ340N08NS3GATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 18,207
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ340N08NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 6 A (Ta), 23 A (Tc) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ340N08NS3 G
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Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta), 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 12 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 630pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ340N08NS3GATMA1CT
BSZ340N08NS3GINCT
BSZ340N08NS3GINCT-ND
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.79000 $0.79
10 0.69100 $6.91
100 0.53330 $53.33
500 0.39502 $197.51
1,000 0.31601 $316.01

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ340N08NS3GATMA1TR-ND
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