Agregar a favoritos
BSZ340N08NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 6 A (Ta), 23 A (Tc) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc) PG-TSDSON-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.74000 $0.74
10 0.64400 $6.44
100 0.49710 $49.71
500 0.36824 $184.12
1,000 0.29459 $294.59

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ340N08NS3GATMA1CT-ND
Copiar   BSZ340N08NS3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 12,560
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

BSZ340N08NS3GATMA1

Copiar   BSZ340N08NS3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Copiar   MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 6 A (Ta), 23 A (Tc) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc) PG-TSDSON-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 80V 6 A (Ta), 23 A (Tc) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc) PG-TSDSON-8
Documentos y medios
Hojas de datos BSZ340N08NS3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta), 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 12 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 630pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 32 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BSZ100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSZ100N06LS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Precio unitario $1.09000
  • BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND
  • BSC340N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSC340N08NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC340N08NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
  • Precio unitario $0.82000
  • BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
  • BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSC123N08NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC123N08NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  • Precio unitario $1.44000
  • BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
  • BC847BPDW1T1G - ON Semiconductor | BC847BPDW1T1GOSCT-ND DigiKey Electronics
  • BC847BPDW1T1G
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
  • Precio unitario $0.23000
  • BC847BPDW1T1GOSCT-ND
  • BSS314PEH6327XTSA1 - Infineon Technologies | BSS314PEH6327XTSA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSS314PEH6327XTSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  • Precio unitario $0.61000
  • BSS314PEH6327XTSA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ340N08NS3GATMA1CT
BSZ340N08NS3GINCT
BSZ340N08NS3GINCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ340N08NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.24131
  • Digi-Reel® ? : BSZ340N08NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,560 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:32:21 11/12/2018