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BSZ22DN20NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 7 A (Tc) 34 W (Tc) PG-TSDSON-8
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1 1.13000 $1.13
10 1.00300 $10.03
100 0.79280 $79.28
500 0.61482 $307.41
1,000 0.48538 $485.38

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ22DN20NS3GATMA1CT-ND
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Número de pieza del fabricante

BSZ22DN20NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 7 A (Tc) 34 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 225 mOhm a 3.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 13 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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16:08:10 10/22/2018