Agregar a favoritos
BSZ160N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc) PG-TSDSON-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
Copiar   BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 14,710
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

BSZ160N10NS3GATMA1

Copiar   BSZ160N10NS3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Copiar   MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc) PG-TSDSON-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc) PG-TSDSON-8
Documentos y medios
Hojas de datos BSZ160N10NS3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 12 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BSC109N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSC109N10NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC109N10NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  • Precio unitario $1.99000
  • BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  • BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSZ520N15NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSZ520N15NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
  • Precio unitario $1.66000
  • BSZ520N15NS3GATMA1CT-ND
  • BSZ150N10LS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSZ150N10LS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  • Precio unitario $1.82000
  • BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  • SI7113DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7113DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7113DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  • Precio unitario $1.99000
  • SI7113DN-T1-GE3CT-ND
  • BSZ097N10NS5ATMA1 - Infineon Technologies | BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSZ097N10NS5ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  • Precio unitario $1.83000
  • BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.72000 $1.72
10 1.52800 $15.28
100 1.20720 $120.72
500 0.93622 $468.11
1,000 0.73913 $739.13

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.63627
  • Digi-Reel® ? : BSZ160N10NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,710 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:00:52 9/21/2018