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BSZ160N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) PG-TSDSON-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.34000 $1.34
10 1.19800 $11.98
25 1.13680 $28.42
100 0.85260 $85.26
500 0.72268 $361.34
1,000 0.58870 $588.70
2,500 0.58058 $1,451.45

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BSZ160N10NS3GATMA1

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ160N10NS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ160N10NS3 G
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Producto destacado Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML BSZ160N10NS3 G
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 12µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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