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BSZ160N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc) PG-TSDSON-8
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.65000 $1.65
10 1.46100 $14.61
100 1.15480 $115.48
500 0.89552 $447.76
1,000 0.70699 $706.99

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ160N10NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ160N10NS3 G
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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 12 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 63 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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BSZ160N10NS3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : BSZ160N10NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,710 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:01:46 11/18/2018