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BSZ110N08NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 50W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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1 1.09000 $1.09
10 0.96600 $9.66
100 0.76340 $76.34
500 0.59200 $296.00
1,000 0.46736 $467.36

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ110N08NS5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 50W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ110N08NS5
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 22µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres BSZ110N08NS5ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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07:43:22 4/24/2019