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BSZ110N08NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 50W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.91000 $0.91
10 0.81100 $8.11
25 0.77000 $19.25
100 0.57750 $57.75
250 0.57200 $143.00
500 0.48950 $244.75
1,000 0.39875 $398.75
2,500 0.39325 $983.13

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.35750
  • Digi-Reel®  : BSZ110N08NS5ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,385 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ110N08NS5ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ110N08NS5ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 50W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ110N08NS5
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 22µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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