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BSZ110N06NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 2.1 W (Ta), 50 W (Tc) PG-TSDSON-8
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10 0.84300 $8.43
100 0.65010 $65.01
500 0.48154 $240.77
1,000 0.38523 $385.23

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ110N06NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 2.1 W (Ta), 50 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3G
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Ensamble/origen de PCN OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 23 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 60,000 - Inmediata
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09:23:54 10/19/2018