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BSZ110N06NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) PG-TSDSON-8
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Cantidad
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1 0.96000 $0.96
10 0.84300 $8.43
100 0.65010 $65.01
500 0.48154 $240.77
1,000 0.38523 $385.23

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ110N06NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 23µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-ND
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21:32:54 4/25/2019