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BSZ097N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) PG-TSDSON-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.82000 $0.82
10 0.72400 $7.24
25 0.68040 $17.01
100 0.49390 $49.39
250 0.47632 $119.08
500 0.41266 $206.33
1,000 0.35120 $351.20
2,500 0.32925 $823.13

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ097N04LSGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.29633
  • Digi-Reel®  : BSZ097N04LSGATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ097N04LSGATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ097N04LSGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ097N04LSGATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ097N04LSG
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 14µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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