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BSZ097N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) PG-TSDSON-8
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Cantidad
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1 1.04000 $1.04
10 0.91200 $9.12
100 0.70360 $70.36
500 0.52118 $260.59
1,000 0.41694 $416.94

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ097N04LSGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ097N04LSGATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ097N04LSG
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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 14µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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09:59:13 4/20/2019