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BSZ0901NSIATMA1 Canal N Montaje en superficie 30V 25 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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10 1.27300 $12.73
100 1.00630 $100.63
500 0.78036 $390.18
1,000 0.61608 $616.08

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ0901NSIATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ0901NSIATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 25 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ0901NSI
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.1 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 15V
Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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04:44:28 12/17/2018