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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 24,161
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ086P03NS3GATMA1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 13.5 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ086P03NS3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.5 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.1 V a 105 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4785pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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BSZ086P03NS3 GCT-ND
BSZ086P03NS3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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