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BSZ086P03NS3EGATMA1 Canal P Montaje en superficie 30V 13.5 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8
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10 0.89200 $8.92
100 0.68830 $68.83
500 0.50986 $254.93
1,000 0.40788 $407.88

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ086P03NS3EGATMA1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 13.5 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ086P03NS3E G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.5 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.1V a 105µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4785pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GCT-ND
BSZ086P03NS3EGATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND
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08:09:56 4/21/2019