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BSZ075N08NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 69W (Tc) PG-TSDSON-8
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1 1.68000 $1.68
10 1.48500 $14.85
100 1.17360 $117.36
500 0.91016 $455.08
1,000 0.71854 $718.54

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ075N08NS5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 69W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ075N08NS5
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 36µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2080pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ075N08NS5ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSZ075N08NS5ATMA1TR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,650 - Inmediata
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01:08:29 4/25/2019