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BSZ067N06LS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 14 A (Ta), 20 A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8
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10 1.23600 $12.36
100 0.97680 $97.68
500 0.75754 $378.77
1,000 0.59806 $598.06

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ067N06LS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 14 A (Ta), 20 A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ067N06LS3 G
BSZ067N06LS3G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Ta), 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.7 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 35 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ067N06LS3GATMA1CT
BSZ067N06LS3GINCT
BSZ067N06LS3GINCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,269 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

20:31:56 11/20/2018