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BSZ067N06LS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 14 A (Ta), 20 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 1.06900 $10.69
25 1.01480 $25.37
100 0.76120 $76.12
250 0.75392 $188.48
500 0.64518 $322.59
1,000 0.52557 $525.57
2,500 0.51832 $1,295.79

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 33,885 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ067N06LS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ067N06LS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 14 A (Ta), 20 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Ta), 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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