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BSZ060NE2LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.75000 $0.75
10 0.65900 $6.59
25 0.61880 $15.47
100 0.44910 $44.91
250 0.43316 $108.29
500 0.37526 $187.63
1,000 0.31938 $319.38
2,500 0.29942 $748.54

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ060NE2LSATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $0.26163
  • Digi-Reel®  : BSZ060NE2LSATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 34,514 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ060NE2LSATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ060NE2LSATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ060NE2LSATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 12 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ060NE2LS
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 670pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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