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BSZ040N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8
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Cantidad
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10 1.11300 $11.13
100 0.87990 $87.99
500 0.68240 $341.20
1,000 0.53874 $538.74

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 19,836
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ040N04LSGATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ040N04LS G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 36µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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BSZ040N04LSGINCT
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18:50:13 5/24/2019