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BSZ040N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8
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10 1.11300 $11.13
100 0.87990 $87.99
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ040N04LSGATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ040N04LS G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 36 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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17:51:51 1/22/2019