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BSZ036NE2LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 16 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.85000 $0.85
10 0.76000 $7.60
25 0.72120 $18.03
100 0.54080 $54.08
250 0.53560 $133.90
500 0.45836 $229.18
1,000 0.37338 $373.38
2,500 0.36822 $920.56

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSZ036NE2LSATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.32500
  • Digi-Reel®  : BSZ036NE2LSATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,622 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSZ036NE2LSATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSZ036NE2LSATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSZ036NE2LSATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 16 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ036NE2LS
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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