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BSZ018NE2LSIATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8-FL
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10 1.66600 $16.66
100 1.33840 $133.84
500 1.04094 $520.47
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSZ018NE2LSIATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSZ018NE2LSIATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8-FL

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Documentos y medios
Hojas de datos BSZ018NE2LSI
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSZ018NE2LSIATMA1CT
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BSZ018NE2LSICT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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07:18:02 4/21/2019