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BSS84PWH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 150mA (Ta) 300mW (Ta) PG-SOT323-3
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10 0.35900 $3.59
100 0.20320 $20.32
500 0.11112 $55.56
1,000 0.07712 $77.12
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 51,343
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS84PWH6327XTSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 150mA (Ta) 300mW (Ta) PG-SOT323-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8Ohm a 150mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19.1pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT323-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS84PWH6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:05:01 4/26/2019