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BSS83PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.44000 $0.44
10 0.33000 $3.30
100 0.20550 $20.55
500 0.14060 $70.30
1,000 0.10816 $108.16
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS83PH6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 156,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09450
  • Digi-Reel®  : BSS83PH6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 158,822 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS83PH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS83PH6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS83PH6327XTSA1
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Descripción MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS83P
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Hoja de datos de HTML BSS83P
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.57nC @ 10V
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 330mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2Ohm a 330mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 80µA
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 78pF @ 25V
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT