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BSS806NEH6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 20V 2.3 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3
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1 0.52000 $0.52
10 0.37000 $3.70
100 0.24610 $24.61
500 0.14924 $74.62
1,000 0.11695 $116.95
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 3,831
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS806NEH6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.3 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 2.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 57 mOhm a 2.3 A, 2.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 0.75 V a 11µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.7nC @ 2.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 529pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS806NEH6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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13:24:57 2/23/2019