BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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BSS314PEH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 30V 1.5 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	BSS314PEH6327XTSA1CT-ND	Copiar
Cantidad disponible	15,168 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Infineon Technologies	Copiar
Número de pieza del fabricante	BSS314PEH6327XTSA1	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23	Copiar
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30V 1.5 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	BSS314PE
Otros documentos relacionados	Part Number Guide
Producto destacado	Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN	Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017 Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017 Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017 Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
Embalaje de PCN	Carrier Tape Update 03/Jun/2015
Modelos de simulación	MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	1.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	140 mOhm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	2 V a 6.3µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.9nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	294pF @ 15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	500 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3