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BSS169H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 100V 170 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.49000 $0.49
10 0.41400 $4.14
100 0.31450 $31.45
500 0.23524 $117.62
1,000 0.18566 $185.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS169H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS169H6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 170 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 170 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 Ohm a 170 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.8nC @ 7V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 68pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS169 H6327CT
BSS169 H6327CT-ND
BSS169H6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSS169H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.17544
  • Digi-Reel® ? : BSS169H6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,847 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:01:35 11/13/2018