Agregar a favoritos
BSS139H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 250V 100mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.53000 $0.53
10 0.45200 $4.52
100 0.34370 $34.37
500 0.25700 $128.50
1,000 0.20285 $202.85
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS139H6327XTSA1CT-ND
Copiar   BSS139H6327XTSA1CT-ND
Cantidad disponible 60,868
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

BSS139H6327XTSA1

Copiar   BSS139H6327XTSA1
Descripción MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
Copiar   MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 100mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3

Copiar   Canal N Montaje en superficie 250V 100mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3
Documentos y medios
Hojas de datos BSS139
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
Embalaje de PCN Carrier Tape Update 03/Jun/2015
Hoja de datos de HTML BSS139
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 Ohm a 100µA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 56µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 76pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BSS169H6327XTSA1 - Infineon Technologies | BSS169H6327XTSA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSS169H6327XTSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
  • Precio unitario $0.49000
  • BSS169H6327XTSA1CT-ND
  • TN5335K1-G - Microchip Technology | TN5335K1-GCT-ND DigiKey Electronics
  • TN5335K1-G
  • Microchip Technology
  • MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
  • Precio unitario $0.76000
  • TN5335K1-GCT-ND
  • BSS131H6327XTSA1 - Infineon Technologies | BSS131H6327XTSA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSS131H6327XTSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23
  • Precio unitario $0.58000
  • BSS131H6327XTSA1CT-ND
  • STPS2150A - STMicroelectronics | 497-2467-1-ND DigiKey Electronics
  • STPS2150A
  • STMicroelectronics
  • DIODE SCHOTTKY 150V 2A SMA
  • Precio unitario $0.49000
  • 497-2467-1-ND
  • OPA192IDBVR - Texas Instruments | 296-42105-1-ND DigiKey Electronics
  • OPA192IDBVR
  • Texas Instruments
  • IC OP AMP RRIO E-TRIM SOT23-5
  • Precio unitario $2.76000
  • 296-42105-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSS139H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 57,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.18116
  • Digi-Reel® ? : BSS139H6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 60,868 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

21:53:43 3/26/2019