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BSS139H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 250V 100 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3
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1 0.53000 $0.53
10 0.45200 $4.52
100 0.34370 $34.37
500 0.25700 $128.50
1,000 0.20285 $202.85
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS139H6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 68,057
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS139H6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 100 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS139
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Hoja de datos de HTML BSS139
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 Ohm a 100 µA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 56 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 76pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSS139H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.18116
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21:19:06 12/10/2018