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BSS123NH6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 100V 190 mA (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS123NH6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 44,281
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS123NH6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Copiar   MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 190 mA (Ta) 500 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS123N
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 190 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 Ohm a 190 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8 V a 13 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20.9pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS123NH6327XTSA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.43500 $4.35
100 0.25920 $25.92
500 0.15012 $75.06
1,000 0.11692 $116.92
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:32:18 9/22/2018