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BSP299H6327XUSA1 Canal N Montaje en superficie 500V 400 mA (Ta) 1.8 W (Ta) PG-SOT223-4
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSP299H6327XUSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSP299H6327XUSA1

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Descripción MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 400 mA (Ta) 1.8 W (Ta) PG-SOT223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos BSP299
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 400 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSP299H6327XUSA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.86000 $1.86
10 1.66100 $16.61
100 1.33000 $133.00
500 1.05034 $525.17
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,364 - Inmediata
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20:44:28 9/24/2018