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BSP170PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 1.9 A (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSP170PH6327XTSA1CT-ND
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Cantidad disponible 3,806
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSP170PH6327XTSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 1.9 A (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300mOhm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 410pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSP170PH6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSP170PH6327XTSA1TR-ND
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18:33:53 5/24/2019