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BSP149H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.10000 $1.10
10 0.98200 $9.82
25 0.93200 $23.30
100 0.69910 $69.91
500 0.59256 $296.28
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSP149H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.48271
  • Digi-Reel®  : BSP149H6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,057 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSP149H6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSP149H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSP149H6327XTSA1
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Descripción MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos BSP149
Producto destacado Data Processing Systems
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Mult Dev Pkg Update 28/May/2020
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 660mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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