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BSP149H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSP149H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSP149H6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 660mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSP149H6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSP149H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 11,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.62800
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,362 - Inmediata
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13:27:55 4/19/2019