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BSP135H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) SOT-223-4
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.19000 $1.19
10 1.06500 $10.65
25 1.01080 $25.27
100 0.75810 $75.81
500 0.64258 $321.29
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSP135H6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 49,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.52345
  • Digi-Reel®  : BSP135H6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 50,057 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSP135H6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSP135H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSP135H6327XTSA1
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Descripción MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos BSP135
Producto destacado Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML BSP135
Embalaje de PCN Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020
Mult Dev Pkg Update 28/May/2020
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 45Ohm a 120mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 94µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.9nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 146pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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