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BSP135H6327XTSA1 Canal N Montaje en superficie 600V 120 mA (Ta) 1.8 W (Ta) SOT-223-4
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSP135H6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSP135H6327XTSA1

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Descripción MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 120 mA (Ta) 1.8 W (Ta) SOT-223-4

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 Ohm a 120 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 94 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.9nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 146pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.8 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSP135H6327XTSA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.85000 $1.85
10 1.65400 $16.54
100 1.32460 $132.46
500 1.04600 $523.00
Tarifa arancelaria aplicada ?

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSP135H6327XTSA1TR-ND
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09:00:29 9/22/2018