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BSO615NGHUMA1 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60V 2.6 A 2W Montaje en superficie PG-DSO-8
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.15000 $1.15
10 1.01700 $10.17
100 0.80360 $80.36
500 0.62322 $311.61
1,000 0.49201 $492.01

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSO615NGHUMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSO615NGHUMA1

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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60V 2.6 A 2W Montaje en superficie PG-DSO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSO 615NG
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150mOhm a 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 380pF a 25V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8
Número de pieza base BSO615
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSO615NGHUMA1CT
BSO615NGINCT-ND
BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSO615NGHUMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 12,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.44583
  • Digi-Reel® ? : BSO615NGHUMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,550 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:21:46 4/21/2019