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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSF134N10NJ3GXUMA1CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSF134N10NJ3GXUMA1

Descripción MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 9 A (Ta), 40 A (Tc) 2.2 W (Ta), 43 W (Tc) MG-WDSON-2, CanPAK M™

Documentos y medios
Hojas de datos BSF134N10NJ3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 40 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.2 W (Ta), 43 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.4 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja (carcasa) 3-WDSON
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSF134N10NJ3 GCT
BSF134N10NJ3 GCT-ND
BSF134N10NJ3GXUMA1CT

08:21:56 2/21/2018

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSF134N10NJ3GXUMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.73631
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