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BSD235CH6327XTSA1 MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 950mA, 530mA 500mW Montaje en superficie PG-SOT363-6
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.35000 $0.35
10 0.28200 $2.82
25 0.25800 $6.45
100 0.16200 $16.20
250 0.16020 $40.05
500 0.15000 $75.00
1,000 0.10200 $102.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSD235CH6327XTSA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 15,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09780
  • Digi-Reel®  : BSD235CH6327XTSA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,614 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSD235CH6327XTSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSD235CH6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSD235CH6327XTSA1
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 950mA, 530mA 500mW Montaje en superficie PG-SOT363-6

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Documentos y medios
Hojas de datos BSD235C
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 950mA, 530mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 350mOhm a 950mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 1.6µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.34nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 47pF a 10V
Potencia máxima 500mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT363-6
Número de pieza base BSD235
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSD235C H6327CT
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BSD235CH6327XT
BSD235CH6327XTSA1CT