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BSC900N20NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 15.2 A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TDSON-8
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10 1.66500 $16.65
100 1.33780 $133.78
500 1.04054 $520.27
1,000 0.86216 $862.16

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC900N20NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC900N20NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 15.2 A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC900N20NS3G
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Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 7.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 62.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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15:24:28 4/20/2019