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BSC670N25NSFDATMA1 Canal N Montaje en superficie 250V 24 A (Tc) 150 W (Tc) PG-TDSON-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.15000 $3.15
10 2.81200 $28.12
100 2.30620 $230.62
500 1.86744 $933.72
1,000 1.57494 $1,574.94

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC670N25NSFDATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 24 A (Tc) 150 W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC670N25NSFD
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 250V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 67 mOhm a 24 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2410pF @ 125V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $1.76000
  • 495-7481-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC670N25NSFDATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : BSC670N25NSFDATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:30:09 11/14/2018