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BSC320N20NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 36 A (Tc) 125W (Tc) PG-TDSON-8-1
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.81000 $2.81
10 2.52500 $25.25
25 2.38240 $59.56
100 1.85840 $185.84
250 1.81072 $452.68
500 1.57246 $786.23
1,000 1.33420 $1,334.20
2,500 1.31514 $3,287.85

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  • Cinta y rollo (TR)  : BSC320N20NS3GATMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : BSC320N20NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,779 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC320N20NS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC320N20NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC320N20NS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 36 A (Tc) 125W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC320N20NS3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 36A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSC320N20NS3 GCT
BSC320N20NS3 GCT-ND
BSC320N20NS3GATMA1CT