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BSC160N15NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 56 A (Tc) 96W (Tc) PG-TDSON-8-7
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1 2.69000 $2.69
10 2.43400 $24.34
100 1.95580 $195.58
500 1.52118 $760.59
1,000 1.26040 $1,260.40

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC160N15NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC160N15NS5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 56 A (Tc) 96W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC160N15NS5A
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.6V a 60µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1820pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 96W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres BSC160N15NS5ATMA1CT
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  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.09710
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
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11:05:59 4/25/2019