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BSC160N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 8.8 A (Ta), 42 A (Tc) 60W (Tc) PG-TDSON-8-1
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.02000 $1.02
10 0.91000 $9.10
25 0.86400 $21.60
100 0.64790 $64.79
250 0.64168 $160.42
500 0.54914 $274.57
1,000 0.44733 $447.33
2,500 0.44116 $1,102.89
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BSC160N10NS3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC160N10NS3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 8.8 A (Ta), 42 A (Tc) 60W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC160N10NS3 G
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Update 26/Jul/2016
Producto destacado Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML BSC160N10NS3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.8 A (Ta), 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 33µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND