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BSC130P03LSGAUMA1 Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta), 22.5 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-3
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Número de pieza de Digi-Key BSC130P03LSGAUMA1TR-ND
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BSC130P03LSGAUMA1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta), 22.5 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC130P03LS G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta), 22.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13mOhm a 22.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 73.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3670pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-3
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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SP000359666
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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21:05:15 5/24/2019