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BSC109N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 63 A (Tc) 78W (Tc) PG-TDSON-8-1
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1 1.61000 $1.61
10 1.42500 $14.25
100 1.12590 $112.59
500 0.87314 $436.57
1,000 0.68932 $689.32

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC109N10NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 63 A (Tc) 78W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC109N10NS3 G
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 63 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.9mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 45µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 78W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : BSC109N10NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,994 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:18:22 4/26/2019