Agregar a favoritos
BSC109N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 63 A (Tc) 78 W (Tc) PG-TDSON-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
Copiar   BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 9,271
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

BSC109N10NS3GATMA1

Copiar   BSC109N10NS3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Copiar   MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 63 A (Tc) 78 W (Tc) PG-TDSON-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 63 A (Tc) 78 W (Tc) PG-TDSON-8
Documentos y medios
Hojas de datos BSC109N10NS3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 63 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.9 mOhm a 46 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 45 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 78 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BSC098N10NS5ATMA1 - Infineon Technologies | BSC098N10NS5ATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC098N10NS5ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
  • Precio unitario $1.81000
  • BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
  • BSC046N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSC046N10NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC046N10NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  • Precio unitario $3.34000
  • BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
  • BSC320N20NS3GATMA1 - Infineon Technologies | BSC320N20NS3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC320N20NS3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  • Precio unitario $3.31000
  • BSC320N20NS3GATMA1CT-ND
  • PBSS5140T,215 - Nexperia USA Inc. | 1727-3906-1-ND DigiKey Electronics
  • PBSS5140T,215
  • Nexperia USA Inc.
  • TRANS PNP 40V 1A SOT23
  • Precio unitario $0.42000
  • 1727-3906-1-ND
  • PBSS4140T,215 - Nexperia USA Inc. | 1727-3897-1-ND DigiKey Electronics
  • PBSS4140T,215
  • Nexperia USA Inc.
  • TRANS NPN 40V 1A SOT23
  • Precio unitario $0.45000
  • 1727-3897-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.08000 $2.08
10 1.85800 $18.58
100 1.48820 $148.82
500 1.17522 $587.61
1,000 0.94760 $947.60
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC109N10NS3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.73823
  • Digi-Reel® ? : BSC109N10NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,271 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:46:55 9/23/2018