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BSC093N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 13 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) PG-TDSON-8-5
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Cantidad
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1 1.05000 $1.05
10 0.93100 $9.31
100 0.72840 $72.84
500 0.55092 $275.46
1,000 0.44950 $449.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC093N04LSGATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 52,645
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC093N04LSGATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 13 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) PG-TDSON-8-5

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta), 49 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.3mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 14µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC093N04LSGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 52,645 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

06:29:52 5/20/2019