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BSC093N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 13 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) PG-TDSON-8-5
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.75000 $0.75
10 0.66400 $6.64
25 0.62360 $15.59
100 0.45270 $45.27
500 0.37826 $189.13
1,000 0.32192 $321.92
2,500 0.30180 $754.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSC093N04LSGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 55,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.27162
  • Digi-Reel®  : BSC093N04LSGATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 55,236 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC093N04LSGATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC093N04LSGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC093N04LSGATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 13 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) PG-TDSON-8-5

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC093N04LS G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13 A (Ta), 49 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 14µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND