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BSC050NE2LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc) PG-TDSON-8
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Cantidad
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10 0.86100 $8.61
100 0.68010 $68.01
500 0.52742 $263.71
1,000 0.41638 $416.38

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC050NE2LSATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC050NE2LSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 39 A (Ta), 58 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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