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BSC050NE2LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) PG-TDSON-8-5
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Cantidad
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1 1.02000 $1.02
10 0.90900 $9.09
100 0.72800 $72.80
500 0.57536 $287.68
1,000 0.46433 $464.33
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC050NE2LSATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC050NE2LSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) PG-TDSON-8-5

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC050NE2LS
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 39 A (Ta), 58 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF @ 12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LSCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC050NE2LSATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 49,157 - Inmediata
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09:56:19 4/20/2019