USD
Favorito

BSC050N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 18 A (Ta), 85 A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) PG-TDSON-8-5
Precio y compra
52,100 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.85000 $0.85
10 0.76000 $7.60
25 0.72120 $18.03
100 0.54080 $54.08
250 0.53560 $133.90
500 0.45836 $229.18
1,000 0.37338 $373.38
2,500 0.36822 $920.56
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSC050N04LSGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.32500
  • Digi-Reel®  : BSC050N04LSGATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 52,100 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC050N04LSGATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC050N04LSGATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante BSC050N04LSGATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 18 A (Ta), 85 A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) PG-TDSON-8-5

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos BSC050N04LS G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 20/Jun/2016
Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos EDA/CAD BSC050N04LSGATMA1 by SnapEDA
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 40V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Ta), 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 27µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3700pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

BSC010N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Infineon Technologies

$2.38000 Detalles

NTTFS5C454NLTAG

MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8

ON Semiconductor

$1.07000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND