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BSC046N10NS3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Ta), 100 A (Tc) 156W (Tc) PG-TDSON-8-7
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.19000 $3.19
10 2.84900 $28.49
100 2.33610 $233.61
500 1.89168 $945.84
1,000 1.59539 $1,595.39

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC046N10NS3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Ta), 100 A (Tc) 156W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC046N10NS3 G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 120µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC046N10NS3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : BSC046N10NS3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

02:07:45 5/24/2019