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BSC040N10NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8-7
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736 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.58000 $2.58
10 2.31900 $23.19
25 2.18760 $54.69
100 1.70630 $170.63
250 1.66252 $415.63
500 1.44376 $721.88
1,000 1.22500 $1,225.00
2,500 1.20750 $3,018.75
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSC040N10NS5ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.12000
  • Digi-Reel®  : BSC040N10NS5ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 736 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC040N10NS5ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC040N10NS5ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC040N10NS5
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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 95µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5300pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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