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BSC035N10NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) PG-TDSON-8-7
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.69000 $2.69
10 2.41700 $24.17
25 2.28480 $57.12
100 1.82790 $182.79
250 1.72636 $431.59
500 1.62480 $812.40
1,000 1.39124 $1,391.24
2,500 1.37092 $3,427.31

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  • Cinta y rollo (TR)  : BSC035N10NS5ATMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : BSC035N10NS5ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,496 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC035N10NS5ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC035N10NS5ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC035N10NS5
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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 115µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSC035N10NS5ATMA1CT