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BSC035N04LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 21 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-1
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.27000 $1.27
10 1.13600 $11.36
100 0.91010 $91.01
500 0.71932 $359.66
1,000 0.58050 $580.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC035N04LSGATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 29,687
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC035N04LSGATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 21 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 36µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC035N04LSGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 25,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 29,707 - Inmediata
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17:09:13 4/23/2019