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BSC030N08NS5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8-7
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.41000 $2.41
10 2.18100 $21.81
100 1.75260 $175.26
500 1.36316 $681.58
1,000 1.12947 $1,129.47

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC030N08NS5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC030N08NS5
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 95µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 76nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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08:34:35 5/26/2019