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BSC030N03LSGATMA1 Canal N Montaje en superficie 30V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-1
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.98000 $0.98
10 0.87400 $8.74
25 0.82920 $20.73
100 0.62190 $62.19
250 0.61596 $153.99
500 0.52712 $263.56
1,000 0.42939 $429.39
2,500 0.42346 $1,058.66
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  • Cinta y rollo (TR)  : BSC030N03LSGATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $0.37375
  • Digi-Reel®  : BSC030N03LSGATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16,653 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSC030N03LSGATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSC030N03LSGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSC030N03LSGATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) PG-TDSON-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC030N03LS G
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4300pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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