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BSC028N06NSATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) PG-TDSON-8-7
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.48000 $2.48
10 2.23700 $22.37
100 1.79720 $179.72
500 1.39784 $698.92
1,000 1.15821 $1,158.21

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC028N06NSATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 19,503
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC028N06NSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) PG-TDSON-8-7

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Documentos y medios
Hojas de datos BSC028N06NS
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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23:34:21 5/26/2019