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BSC022N04LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TDSON-8
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.77000 $1.77
10 1.57600 $15.76
100 1.26290 $126.29
500 0.99808 $499.04
1,000 0.80546 $805.46
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC022N04LSATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 1,335
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSC022N04LSATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TDSON-8

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base BSC022N04
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC022N04LSATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC022N04LSATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.70253
  • Digi-Reel® ? : BSC022N04LSATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,335 - Inmediata
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14:11:34 12/18/2018