Agregar a favoritos
BSC022N04LSATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TDSON-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSC022N04LSATMA1CT-ND
Copiar   BSC022N04LSATMA1CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

BSC022N04LSATMA1

Copiar   BSC022N04LSATMA1
Descripción MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Copiar   MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TDSON-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc) PG-TDSON-8
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Número de pieza base BSC022N04
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BSC026N04LSATMA1 - Infineon Technologies | BSC026N04LSATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC026N04LSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
  • Precio unitario $1.68000
  • BSC026N04LSATMA1CT-ND
  • BSC032N04LSATMA1 - Infineon Technologies | BSC032N04LSATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC032N04LSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
  • Precio unitario $1.49000
  • BSC032N04LSATMA1CT-ND
  • BSC014N04LSIATMA1 - Infineon Technologies | BSC014N04LSIATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC014N04LSIATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  • Precio unitario $3.57000
  • BSC014N04LSIATMA1CT-ND
  • BSC014N06NSATMA1 - Infineon Technologies | BSC014N06NSATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • BSC014N06NSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  • Precio unitario $4.45000
  • BSC014N06NSATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSC022N04LSATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.76000 $1.76
10 1.56100 $15.61
100 1.23340 $123.34
500 0.95648 $478.24
1,000 0.75512 $755.12

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSC022N04LSATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.65004
  • Digi-Reel® ? : BSC022N04LSATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

09:08:30 9/24/2018